Sobat gratisan, untuk konfigurasi penguat yang dikembangkan adalah model transistor karena relatif murah dan kompak. Saat ini dikembangkan beberapa model transistor, di antaranya adalah :
(Simbolnya silakan cari di blog lain sudah banyak di bahas)
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT lebih umum dikenal dengan sebutan transistor jenis NPN dan PNP, biasanya diberi merk berdasarkan pabrikan pembuatnya contoh sanken, toshiba, Phillips, Onsemi, dan lain-lain. Pada amplifier lebih ditekankan pada pengaturan arus. Besar kecilnya arus yang mengalir pada kaki CE (kolektor emitor) atau EC (emitor kolektor) ditentukan dengan besar kecilnya arus pada kaki B (basis).
UJT (Unit Juction Transistor)
UJT merupakan jenis transistor yang memiliki 2 basis dan 1 emitor. Banyak diaplikasikan sebagai switch (saklar) otomatis karena mampu dilewati arus besar. Belum ditemukan desain sebagai penguat amplifier, mungkin jalan-jalan saya kurang jauh.
FET (Field Effect Transistor)
FET adalah transistor yang memiliki persambungan (junction) p-n bias terbalik sebagai isolator antara gerbang (gate) dan kanalnya. Memiliki penguatan arus yang besar dan noise yang minimal, sehingga menyebabkan sistem yang lebih sempurna, efek sampingnya harga lebih mahal sehingga hanya desain tertentu yang menggunakan jenis ini. Fisik mirip transistor biasa dengan kaki G (gate), D (drain), dan S (source). Frekuensi kerjanya cukup tinggi. FET ada jenis kanal P dan kanal N.
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET adalah transistor yang memiliki persambungan menggunakan isolator silikon dioksida atau SiO2 di antara gerbang gate dan kanalnya. Seperti layaknya FET memiliki kaki G, D, dan S yang memiliki input impedansi yang sangat tinggi, berarti tidak akan terlalu membebani sistem pengendalinya, noise yang rendah, banyak didesain mampu menguatkan arus yang cukup besar. Penerapannya pada amplifier, RF, power supply switching, dan lain-lain yang menginginkan penguatan tinggi dengan noise rendah. Frekuensi kerjanya sangat tinggi. Jeleknya MOSFET tidak tahan dengan sifat elektrostatis. MOSFET ada jenis kanal P dan kanal N.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT memiliki input impedance tinggi, pada saat tidak menghantarkan arus tahanan output (Roff) cukup tinggi sehingga meminimalisir arus bocor. Tahanan on (Ron) sangat kecil sehingga tegangan drop kecil. Frekuensi kerja sangat tinggi. Difungsikan sebagai drive motor, stepper drive, power supply model switching, dll. Kelemahan IGBT rentan rusak pada saat standby atau saat tegangan picunya nol. Solusi, kasih tegangan standby (2-12V).
Korelasi dengan judul bisakah untuk amplifier, bisa. Contoh pada amplifier model switching (class D), menggunakan satu pasang atau lebih mosfet, untuk class lainnya contohnya class AB juga bisa menggunakan pasangan mosfet Contoh lainnya menggunakan model quasy amplifier pada class AB dengan mosfet sejenis.
Contoh model quasy mosfet :
Contoh desain quasy mosfet
Untuk jenis mosfetnya silakan pilih yang sesuai, dengan pertimbangan Ciss, Qg, tegangan kerja, dan lain-lain. Tawon mini ada yang memakai desain quasy mosfet dan sudah hampir 3 tahun dari artikel ini terbit digunakan untuk rental hajatan dan tidak ada kendala. Parameter pokoknya adalah bahwa untuk tipe BJT yang dibutuhkan adalah arus bias, sedangkan untuk tipe mosfet adalah tegangan bias. Untuk desain lengkapnya silakan modifikasi driver yang sudah ada. Saya sudah memberikan konfigurasi selanjutnya silakan dikembangkan sendiri. Untuk pemesanan kit yang sudah jadi silakan bisa kontak ke : 087738828882/085643387806
Tidak ada komentar:
Posting Komentar